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三星3nm工艺成功流片 性能提高约30%

手机行情 中关村在线 2021-06-30 10:11:22
[摘要]三星成功流片了3nm GAA芯片,功耗降低了50%,性能提高了约30%,不过是否能量产还是有待考究。

  三星成功流片了3nm GAA芯片,功耗降低了50%,性能提高了约30%,不过是否能量产还是有待考究。

  全球目前量产的 最先进工艺是5nm,台积电明年就要量产3nm工艺,不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术,三星则选择了GAA技术,日前三星也成功流片了3nm GAA芯片,迈出了关键一步。

  在3nm节点,三星比较激进,直接选择了下一代工艺技术——GAA环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

  根据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

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  三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准,这次3nm芯片流片是跟Synopsys合作完成的,双方联合验证了该工艺的设计、生产流程,是3nm GAA工艺的里程碑。

  不过三星、Synopsys并没有透露这次验证的3nm GAA芯片的详情,官方只说GAA架构改进了静电特性,提高了性能,降低了功耗。

  3nm GAA工艺流片意味着该工艺量产又近了一步,不过最终的进度依然不好说,三星最早说在2021年就能量产,后来推迟到2022年,但是从现在的情况来看,明年台积电3nm工艺量产时,三星的3nm恐怕还没准备好,依然要晚一些。

编辑:齐少恒

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